GaN具有宽的直接带隙，强的原子键，高得热导率，化学稳定性好等性质和强的抗辐射能力，在光电子，高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。
| Part Number | VDS.(V) | VGS.(±V) | ID(A) |
RDS(ON)(mΩ) Typ（10V) |
RDS(ON)(mΩ) /Typ（6V) |
VGS(th)_TYP. (V) |
Package |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SGD8V65R110A | 650 | 20 | 20 | 110 | / | 4 | DFN8080-8L |
| SGD8V65R160A | 650 | 20 | 16 | 160 | / | 1.7 | DFN8080-8L |
| SGD8V65R270A | 650 | 20 | 7.9 | 270 | / | 1.7 | DFN8080-8L |
| SGD3V65R70A | 650 | 20 | 21 | 70 | / | 4 | DFN8080-3L |
| SGD8V70R110B | 700 | 20 | 20 | 110 | / | 4 | DFN8080-8L |
| SGD8V70R160B | 700 | 20 | 16 | 160 | / | 1.7 | DFN8080-8L |
| SGT2V65R270B | 650 | 20 | 7.9 | 270 | / | 4 | TO-252 |
| SGT2V65R600A | 650 | 20 | 4.8 | 600 | / | 4 | TO-252 |
| SGT2V65R900A | 650 | 20 | 3.6 | 900 | / | 4 | TO-252 |
| SGT2V70R270C | 700 | 20 | 7.9 | 270 | / | 4 | TO-252 |
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