GaN IC将驱动IC同GaN器件进行合封，降低了电路应用中寄生电感的影响，进一步提升了在高频开关下，对 GaN HEMT器件的驱动能力，从而实现高频高效率应用。
| Part Number | VDS.(V) | ID(A) | VCC_MAX (V) | RDS(ON)(mΩ) Typ（10V) | RDS(ON)(mΩ) /Typ（6V) | VPWM_MAX. (V) | Package |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SGD8224 | 650 | 15 | 30 | / | 90 | 20 | DFN5060-8L |
| SGD8226 | 650 | 10 | 30 | / | 160 | 20 | DFN5060-8L |
| SGD8228 | 650 | 8 | 30 | / | 250 | 20 | DFN5060-8L |
友情链接：站点地图
Copyright © 2025-2026 赛利美尔半导体技术有限公司 版权所有
